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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																							操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	配置	操作模式	场效应管类型
BTS110E3045AT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	200@10V	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	10	450@25V	40000	55	45	70	20	-55	150	Non-Compliant									不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有		卷带				Obsolete														Single															N
SPD30P06PZT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	75@10V	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK								EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	30	32@10V	32	1228@25V	125000	20	11	30	13	-55	175	表面贴装		2.3		卷带				Unconfirmed										3				Single															P
BUK9230-100B,118	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	28@10V		185	汽车	表面贴装	2.38(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	DPAK								符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	TrenchFET	Enhancement	1	100	15	47	33@5V	2854@25V	167000	46	86	96	30	-55		卷带				Obsolete										3				Single															N
IPB60R099CSXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	99@10V	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing								符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	31	60@10V	60	2800@100V	255000	-55	150	表面贴装	4.4		9.25		卷带				Unconfirmed										3				Single															N
BSO612CVNT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	120@10V@N Channel\|300@10V@P Channel	表面贴装	1.5	4	5	8	SOP	SO	Gull-wing								不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	小信号	SIPMOS	Enhancement	2	60	±20	3@N Channel\|2@P Channel	10.3@10V@N Channel\|10.5@10V@P Channel	10.3@N Channel\|10.5@P Channel	275@25V@N Channel\|320@25V@P Channel	2000	30@N Channel\|95@P Channel	35@N Channel\|60@P Channel	25@N Channel\|145@P Channel	12@N Channel\|15@P Channel	-55	150							Obsolete										8				双排双泄															N\|P
SPD15N06S2L64NT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	64@10V	Enhancement	OptiMOS	功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95	EAR99	不合规								17	25	4.4	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK	16	47000	355@25V	10	10@10V	19	±20	55	1							Obsolete										3				Single															N
SN7002E6327	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5000@10V	3	SOT	SOT-23	Gull-wing								供应商未确认	EAR99	8541.21.00.95	无	无	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	0.19	60@25V	360	13	5	12	5	-55	150	表面贴装	1(Max)		1.3	2.9		卷带				Unconfirmed										3				Single															N
BSC059N03SGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	SILICON	5.5@10V	4.8	22	5.7	-55	150	表面贴装	1		5.9	5.15	8	SON	TDSON EP	No Lead	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	40	BSC059N03SGXT	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.83	17.5 A					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	17.5	15@5V	2010@15V	2800	3.8		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	哑光锡	逻辑电平兼容			DUAL	FLAT	260	unknown	8		R-PDSO-F8	不合格	单四漏三源	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING					N-CHANNEL		0.0086 Ω	200 A	30 V	N	150 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTW8N60E	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	550@10V	2480@25V	180000	48	37.6		80	23.6	-55	150	通孔	20.9	5.21	15.95	3	Tab	TO-247	TO-247	通孔								不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	600	±20	4	8	100	10	67@10V	67		Rail				Obsolete										3				Single															N
SPB17N80C3NT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	290@10V		表面贴装	4.4	9.25	10	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing								不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	800	±20	17	88@10V	88	2300@100V	227000	12	15	72	25	-55	150		卷带				Unconfirmed										3				Single															N
IXFM6N100	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	Si	2	SILICON	180000	2000@10V	2600@25V	88	88@10V	6	±20	1000	1		Enhancement	25.9(Max)	39.12(Max)	2	Tab	TO-204AA	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	150 °C	有	IXFM6N100	ROUND	IXYS Corporation	1	Obsolete	IXYS CORP	5.82	TO-3	6 A				Compliant	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HiperFET	9.14(Max)	通孔	150	-55	35	100	40	60					有	Obsolete			雪崩额定	FET 通用电源		BOTTOM	PIN/PEG	未说明	compliant	3		O-MBFM-P2	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN		SWITCHING				N-CHANNEL	TO-204	6 A	2 Ω	24 A	1000 V	N	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	180 W	180 W
PMV160UP,215	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	有	无	无	小信号	Enhancement	1	20	8	1.2	[email protected]	[email protected]	365@10V		480	17	26	35	7	-55	150		卷带				活跃										3				Single															P
BSS131H6327HTSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14000@10V	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	240	±20	0.11	2.1@10V	2.1	58@25V	360	64.5	3.1	13.7	3.3	-55	150	汽车									Compliant	EAR99	8541.21.00.95		卷带				活跃														Single															N
PMV65XPEAR	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	36	7		-55	150	汽车	表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing								Compliant	EAR99	有	有	Unknown	小信号	TMOS	Enhancement	1	20	12	1.25	2.8	10000	1	[email protected]	618@10V	890	17	19		卷带				活跃										3				Single															P
PMDXB550UNEZ	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]		4	-55	150	表面贴装	0.36(Max)	1	1.1	6	DFN-B EP								Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	Unknown	小信号	TMOS	Enhancement	2	30	8	0.95	590	5000	1	[email protected]	30.3@15V	410	3	7	12		卷带				活跃										6				双排双泄															N
PMV48XPAR	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	23	13	61		11	-65	150	汽车	表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing								Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	有	Unknown	小信号	TMOS	Enhancement	1	20	12	1.25	3.5	100	1	[email protected]	1000@10V	930		卷带				活跃										3				Single															P
PMV16XNR	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	24	31		9	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.4(Max)	3(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing								Compliant	EAR99	8541.29.00.95	有	无	无	小信号	TMOS	Enhancement	1	20	12	0.9	6.8	100	1	[email protected]	1240@10V	1200	36		卷带				活跃										3				Single															N
MTP3055EL	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	180@5V	150	通孔	3	Tab	TO-220	TO-220AB								供应商未确认	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	TMOS IV	Enhancement	1	60	±15	2	12	100	1	7.2@5V	400@25V\|1000@0V	40000	50	95	38	20		-65						Obsolete										3				Single															N
PMZ1200UPEYL	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	-55	150	表面贴装	0.47(Max)	0.62(Max)	1.02(Max)	3	DFN								Compliant	EAR99	有	无	无	小信号	TMOS	Enhancement	1	30	8	0.95	0.41	5000	1	[email protected]	43.2@15V	400	5	4	14	3			卷带				活跃										3				Single															P
IRHLUBC770Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]								不合规	出口接触方式	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±10	0.8	3.6(Max)@4.5V	166@25V	600	13(Max)	24(Max)	30(Max)	8(Max)	-55	150	表面贴装	1.75(Max)		2.74(Max)	3.25(Max)	4	UBC						活跃										4				Single															N
IRFC9034NB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	Die	Die	Infineon Technologies	无	HEXFET	55	Die	Die	Bulk	19A	10V	-	Obsolete						供应商未确认	EAR99	8541.29.00.40	无	-		HEXFET®			Obsolete					MOSFET (Metal Oxide)												-		100mOhm @ 19A, 10V	-	55 V	-											-
IRHQ57110SCV	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	310@12V								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	Enhancement	100	±20	4.6	13(Max)@12V	371@25V	12000	90(Max)	24(Max)	32(Max)	20(Max)	-55	150	表面贴装	2.41(Max)	11.68(Max)	11.68(Max)		28	LCC	LCC	No Lead						活跃										28																			N
IRHMS57064	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7.6@12V	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	45	150(Max)@12V	5640@25V	208000	50(Max)	125(Max)	60(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)		6.6(Max)						活跃										3				Single															N
IRF640NSHR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150@10V									8541.29.00.95	有	Unknown	Enhancement	1	200						Obsolete														Single															N
JANSR2N7616UB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	[email protected]	13(Max)	24(Max)	30(Max)	8(Max)	-55	125	表面贴装		1.42(Max)	2.74(Max)	3.25(Max)	4	Module	UB型壳体	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3	小概要	UNSPECIFIED	未说明	有	JANSR2N7616UB	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.31	0.8 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	CMOS	Enhancement	1	60	±10	0.8	3.6(Max)@4.5V	166@25V	600						活跃	EAR99		逻辑电平兼容			DUAL	无铅	未说明	compliant	4	MIL-19500/744	R-XDSO-N3	Qualified	Single	增强型MOSFET			SWITCHING					N-CHANNEL		0.68 Ω		60 V	N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR